Image is for reference only , details as Specifications

DMTH6016LPSQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMTH6016LPSQ-13
Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 864pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI8424CDB-T1-E1
Vishay / Siliconix
$0
BUK9M42-60EX
Nexperia USA Inc.
$0
SQ2364EES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0.6
FDC658P
ON Semiconductor
$0.59
IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
$0