SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SQ2364EES-T1_GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CHAN 60V SOT-23 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 240mOhm @ 2A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 3W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.5nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 330pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Auf Lager 16 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.60 | $0.59 | $0.58 |
Minimale: 1