Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQ2364EES-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 330pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 16 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.60 $0.59 $0.58
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDC658P
ON Semiconductor
$0.59
IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
$0
BUK9M156-100EX
Nexperia USA Inc.
$0
SI8483DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
$0
SI3476DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0