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DMS3019SSD-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMS3019SSD-13
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.19W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1932pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A, 5.7A

Auf Lager 94 pcs

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