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DMP56D0UFB-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMP56D0UFB-7
Beschreibung: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-UFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V
Verlustleistung (Max.) 425mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.58nC @ 4V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 50.54pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V

Auf Lager 222 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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