SI5499DC-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI5499DC-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 36mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 35nC @ 8V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1290pF @ 4V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Auf Lager 278 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1