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SI5499DC-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI5499DC-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max.) 35nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1290pF @ 4V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 278 pcs

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