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DMN32D4SDW-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN32D4SDW-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 290mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 400mOhm @ 250mA, 10V
Lieferanten-Gerätepaket SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 50pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 650mA

Auf Lager 5980 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.44 $0.43 $0.42
Minimale: 1

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