Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DMN2014LHAB-7
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | DMN2014LHAB-7 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 800mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 16nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1550pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A |
Auf Lager 3000 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.17 | $0.17 | $0.16 |
Minimale: 1
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