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DMN3200U-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3200U-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 650mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 290pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 6042 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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