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SI2302DDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI2302DDS-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 20V SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 710mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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