Image is for reference only , details as Specifications

DMN3026LVT-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3026LVT-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max.) 12.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 643pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 6402 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI2304BDS-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
FDY100PZ
ON Semiconductor
$0
TSM2305CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SSM3J358R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0