Image is for reference only , details as Specifications

SI2304BDS-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI2304BDS-T1-E3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 70mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 750mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 225pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 8271 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDY100PZ
ON Semiconductor
$0
TSM2305CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SSM3J358R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated
$0