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DMN2050LFDB-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN2050LFDB-13
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 730mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 389pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.3A

Auf Lager 19902 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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