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DMN1029UFDB-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN1029UFDB-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max.) 19.6nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 914pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.6A

Auf Lager 4878 pcs

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