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DMN2010UDZ-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN2010UDZ-7
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2535-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 700mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2535-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 33.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2665pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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