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DMN1150UFL3-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN1150UFL3-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 390mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 150mOhm @ 1A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket X2-DFN1310-6 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 115pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A

Auf Lager 76 pcs

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