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DMN1032UCB4-7
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | DMN1032UCB4-7 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-UFBGA, WLBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 26mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 900mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | U-WLB1010-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 4.5nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 450pF @ 6V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 8591 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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