Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPN70R1K4P7SATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPN70R1K4P7SATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 6.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 158pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 6000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RTR020P02TL
ROHM Semiconductor
$0
FDG327N
ON Semiconductor
$0
NTMFS4927NT1G
ON Semiconductor
$0
XR46000ESETR
MaxLinear, Inc.
$0
PSMN9R8-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
$0