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HN4B04J(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN4B04J(TE85L,F)
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74A, SOT-753
Transistortyp NPN, PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket SMV
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 100mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

Auf Lager 5062 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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