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DMG5802LFX-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMG5802LFX-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 980mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket W-DFN5020-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 31.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1066.4pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.5A

Auf Lager 97 pcs

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