DMN2016LFG-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | DMN2016LFG-7 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 770mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerUDFN |
Basis-Teilenummer | DMN2016L |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 18mOhm @ 6A, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | U-DFN3030-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 16nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1472pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.2A |
Auf Lager 18000 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1