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DMN2016LFG-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN2016LFG-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 770mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerUDFN
Basis-Teilenummer DMN2016L
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN3030-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1472pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.2A

Auf Lager 18000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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