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DMG4N60SCT

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMG4N60SCT
Beschreibung: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 113W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 14.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 532pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 88 pcs

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