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IPD60R380E6ATMA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD60R380E6ATMA2
Beschreibung: MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 32nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 99 pcs

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