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CY7C1370DV25-200BZC

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY7C1370DV25-200BZC
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie NoBL™
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit 3ns
Speichergröße 18Mb (512K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-LBGA
Taktfrequenz 200MHz
Basis-Teilenummer CY7C1370
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-FBGA (13x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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