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CY7C1370D-200BZIT

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY7C1370D-200BZIT
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie NoBL™
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit 3ns
Speichergröße 18Mb (512K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-LBGA
Taktfrequenz 200MHz
Basis-Teilenummer CY7C1370
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-FBGA (13x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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