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DS1230Y-200IND+

Hersteller: Lanka Micro
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: DS1230Y-200IND+
Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Maxim Integrated
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tube
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 200ns
Speichergröße 256Kb (32K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Basis-Teilenummer DS1230Y
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 28-EDIP
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200ns

Auf Lager 17 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$24.32 $23.83 $23.36
Minimale: 1

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