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DS1230AB-120IND

Hersteller: Lanka Micro
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: DS1230AB-120IND
Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Maxim Integrated
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tube
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 120ns
Speichergröße 256Kb (32K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Basis-Teilenummer DS1230AB
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 28-EDIP
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 120ns

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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