Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

W989D2DBJX6I TR

Hersteller: Winbond Electronics
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: W989D2DBJX6I TR
Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Zugriffszeit 5ns
Speichergröße 512Mb (16M x 32)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 90-TFBGA
Taktfrequenz 166MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 90-VFBGA (8x13)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.66 $2.61 $2.55
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IS45S16100H-7TLA2
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.66
IS43LR16200D-6BL-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.65
S25FL128SAGBHVC03
Cypress Semiconductor Corp
$2.65
S25FL256LDPNFN013
Cypress Semiconductor Corp
$2.65
S25FL256LAGNFN013
Cypress Semiconductor Corp
$2.65