W987D2HBJX7E TR
Hersteller: | Winbond Electronics |
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Produktkategorie: | Memory |
Datenblatt: | W987D2HBJX7E TR |
Beschreibung: | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Winbond Electronics |
Produktkategorie | Memory |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
Speichertyp | Volatile |
Teilstatus | Not For New Designs |
Speicherformat | DRAM |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 90-TFBGA |
Taktfrequenz | 133MHz |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
Lieferanten-Gerätepaket | 90-VFBGA (8x13) |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Auf Lager 91 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.00 | $1.96 | $1.92 |
Minimale: 1