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W987D2HBJX6E TR
| Hersteller: | Winbond Electronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | W987D2HBJX6E TR |
| Beschreibung: | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Speicherformat | DRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 90-VFBGA (8x13) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Auf Lager 98 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.00 | $1.96 | $1.92 |
Minimale: 1
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