Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

W979H6KBVX2E

Hersteller: Winbond Electronics
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: W979H6KBVX2E
Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 512Mb (32M x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 134-VFBGA
Taktfrequenz 400MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 134-VFBGA (10x11.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.77 $3.69 $3.62
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IS64WV6416BLL-15TLA3-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$3.77
W979H2KBVX2E
Winbond Electronics
$3.77
S29GL128S10FHI020
Cypress Semiconductor Corp
$3.77
S29GL128S10FAIV20
Cypress Semiconductor Corp
$3.77
S29GL128S10FAIV10
Cypress Semiconductor Corp
$3.77