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W949D2DBJX5E

Hersteller: Winbond Electronics
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: W949D2DBJX5E
Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR
Zugriffszeit 5ns
Speichergröße 512Mb (16M x 32)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 90-TFBGA
Taktfrequenz 200MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 90-VFBGA (8x13)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 45 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.42 $3.35 $3.28
Minimale: 1

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