Image is for reference only , details as Specifications

W9412G6KH-4

Hersteller: Winbond Electronics
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: W9412G6KH-4
Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - DDR
Zugriffszeit 48ns
Speichergröße 128Mb (8M x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Taktfrequenz 250MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.4V ~ 2.7V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 66-TSOP II
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

W25Q32DWSSIG TR
Winbond Electronics
$0
MT47H64M8SH-25E:H
Micron Technology Inc.
$0
MT47H64M8SH-25E IT:H
Micron Technology Inc.
$0
MT47H64M8SH-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
$0
MT47H64M16NF-25E:M
Micron Technology Inc.
$0