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BYV430J-600PQ

Hersteller: WeEn Semiconductors
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: BYV430J-600PQ
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller WeEn Semiconductors
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Tube
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 10µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Betriebstemperatur - Kreuzung 175°C (Max)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 2V @ 30A
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) 30A

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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