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VQ1001P-E3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | VQ1001P-E3 |
| Beschreibung: | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 14-DIP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 110pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 830mA |
Auf Lager 70 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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