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SUP85N10-10-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SUP85N10-10-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max.) 160nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6550pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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