Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SUP10250E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SUP10250E-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie ThunderFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 88nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 63A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.75 $2.70 $2.64
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
$2.37
RCX120N25
ROHM Semiconductor
$2.27
STP6N80K5
STMicroelectronics
$2.23
STF11N65M5
STMicroelectronics
$2.23
FDBL9401-F085
ON Semiconductor
$0