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SQUN702E-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SQUN702E-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ N and P-Channel, Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 48W (Tc), 60W (Tc)
Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket Die
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V, 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc), 20A (Tc)

Auf Lager 150 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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