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SQM120N10-3M8_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQM120N10-3M8_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (D²Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 190nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7230pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3830 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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