Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SQM120N04-1M7L_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQM120N04-1M7L_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263
Gate Charge (Qg) (Max.) 285nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 14606pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.69 $1.66 $1.62
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SQM100N10-10_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQM100P10-19L_GE3
Vishay / Siliconix
$0
FDB5800
ON Semiconductor
$0
TPH4R50ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TPH4R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0