Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SQM100N04-2M7_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQM100N04-2M7_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 157W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (D²Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 145nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7910pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.36 $1.33 $1.31
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPB120N08S404ATMA1
Infineon Technologies
$1.36
IRFIZ44GPBF
Vishay / Siliconix
$1.36
IRFSL3206PBF
Infineon Technologies
$1.39
TK56E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.38
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.38