SQJQ100E-T1_GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SQJQ100E-T1_GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 150W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 8 x 8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 165nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 14780pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 70 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.73 | $2.68 | $2.62 |
Minimale: 1