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SQJB60EP-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SQJB60EP-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 48W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1600pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)

Auf Lager 2597 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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