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SQJ411EP-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQJ411EP-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 68W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 150nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 9100pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 1918 pcs

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