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SQ9945BEY-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SQ9945BEY-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 64mOhm @ 3.4A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 470pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.4A

Auf Lager 1479 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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