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SQ3419EEV-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQ3419EEV-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1065pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 98 pcs

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