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SQ2325ES-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQ2325ES-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236 (SOT-23)
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 250pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 840mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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