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SIZ902DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIZ902DT-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 29W, 66W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Basis-Teilenummer SIZ902
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-PowerPair® (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 790pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A

Auf Lager 5602 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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