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SIZ710DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIZ710DT-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 27W, 48W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-PowerPair™
Basis-Teilenummer SIZ710
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.8mOhm @ 19A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 6-PowerPair™
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 820pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A, 35A

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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