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SIUD412ED-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIUD412ED-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 0806
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.25W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 0806
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.71nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 21pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 500mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 4361 pcs

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