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SISS02DN-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SISS02DN-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212- |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | +16V, -12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8S |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.2mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 83nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4450pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 51A (Ta), 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 59 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.49 | $1.46 | $1.43 |
Minimale: 1
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